一、什么是碳化硅（SiC）？碳化硅属于第三代半导体材料，与普通的硅材料相比，碳化硅的优势非常突出，它不仅克服了普通硅材料的某些缺点，在功耗上也有非常好的表现，因而成为电力电子领域目前最具前景的半导体材...
随着数字化、智能化的时代到来，半导体行业的热度不断高涨。尤其是量子信息和人工智能等高科技领域的快速发展，推动了半导体以及多功能器件技术的快速更新和迭代。为适应高性能、低成本的要求，业界将目光投向了...
近来，氧化镓(Ga2O3)作为一种“超宽禁带半导体”材料，得到了持续关注。超宽禁带半导体也属于“第四代半导体”，与第三代半导体碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)相比，氧化镓的禁带宽度达到了4.9eV，高于碳化硅的3.2eV和氮化...
一、氮化嫁（GaN）定义氮化镓材料定义：氮化镓(GaN)主要是由人工合成的一种半导体材料，禁带宽度大于2.3eV，也称为宽禁带半导体材料。氮化镓材料为第三代半导体材料的典型代表，是研制微电子器件、光电子器件的新...
对比两种集成电路制造湿法工艺设备的优缺点及未来发展趋势，对影响单片湿法清洗工艺中蚀刻率因素进行分析总结，介绍化学药液混合和制程喷吐中流量控制技术的发展，设计实验将两种化学药液流量控制阀件的蚀刻清洗...
一、引言上世纪50年代以后，随着离子注入、扩散、外延生长和光刻四种基本工艺的发明，半导体工艺逐渐发展起来。芯片被颗粒和金属污染，容易导致短路或开路等失效，因此除了在整个生产过程中避免外部污染外，在制...
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