摘要碳化硅（SiC）具有禁带宽度大、电子饱和漂移速度高、击穿场强高、热导率高、化学稳定性好等优异特 性，是制备高性能功率器件等半导体器件的理想材料。得益于工艺简单、操作便捷、设备要求低等优点，湿法...
下一代功率器件关键技术：碳化硅近年来，随着 5G、新能源等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增长，硅基半导 体器件的物理极限瓶颈逐渐凸显，如何在提升功率的同时限制体积、发热和成本的快速 膨胀成为了半导...
GaN 是一种优异的直接带隙半导体材料，室温下禁带宽度为3.4 eV，具有优良的光电性能、热稳定性及化学稳定性，是制作高亮度蓝绿发光二极管( LED) 、激光二极管( LD) 以及大功率、高温、高速和恶劣环境条件下工作的...
超纯水设备采用国际主流先进可靠产品，采用PLC+触摸屏控制全套系统自动化程度高，大大节省人力成本和维护成本，水利用率高，经济合理，是水处理行业首选的产品。 01 ...
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